技術(shù)編號：6400934
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種材料的模擬方法，尤其是。背景技術(shù)隨著近代超音速飛機、火箭、人造衛(wèi)星以及原子能等尖端新技術(shù)的發(fā)展，相應的工作條件日益嚴格，對材料耐高溫及超高溫、耐腐蝕、抗震動、抗疲勞、抗溫度急變以及耐火焰沖刷等性能要求越來越高。碳化硅(SiC)具有高硬度、優(yōu)越的耐腐蝕性以及良好的導熱性能，還具有比硅優(yōu)越得多的熱穩(wěn)定性和耐高溫性，是一種重要的高溫結(jié)構(gòu)材料。SiC薄膜作為保護層多應用于微轉(zhuǎn)動器件的接合部分，如微齒輪、微馬達等，或是高溫和腐蝕性環(huán)境中。然而，SiC涂...
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