技術編號:6400722
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及化學機械研磨領域,具體而言,涉及一種芯片表面形貌仿真的方法及裝置背景技術化學機械研磨(Chemical Mechanical Planarization, CMP)最初主要用于獲取高質量的玻璃表面,自上世紀八十年代初IBM首次提出集成電路“化學機械研磨”這個概念至今,CMP技術逐步取代傳統(tǒng)局部拋光技術而廣泛應用于集成電路制造各階段,現(xiàn)已成為可制造性設計及集成電路工藝研發(fā)中實現(xiàn)芯片表面平坦化超精細加工的唯一廣泛應用技術。目前,32/28納米節(jié)點的主...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
請注意,此類技術沒有源代碼,用于學習研究技術思路。