技術(shù)編號(hào)：6370122
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的整體上涉及光刻過程和光刻設(shè)備，尤其涉及光刻設(shè)備和過程的性能穩(wěn)定性控制。背景技術(shù)可以將光刻設(shè)備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，掩模可以包含對應(yīng)于IC的單個(gè)層的電路圖案，這一圖案可以被成像到已經(jīng)涂覆了輻射敏感材料(抗蝕齊IJ)層的襯底(硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或更多的管芯)上。通常，單個(gè)晶片將包含被經(jīng)由投影系統(tǒng)連續(xù)地(一次一個(gè)地)輻射的相鄰目標(biāo)部分的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，每一目標(biāo)部分通過一次將整個(gè)掩模圖案曝光到...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。