技術(shù)編號：6369891
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及包含非易失性存儲器的可定制的集成電路裝置領(lǐng)域。本發(fā)明尤其 涉及為代碼和堆棧存儲空間的一部分使用鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)且具有優(yōu)化指令集的堆棧處理器和實現(xiàn)方法以最小化處理器堆棧存取。背景技術(shù)現(xiàn)有的非易失性存儲器技術(shù)尤其包括電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存。盡管該技術(shù)不斷改進(jìn)，但閃存的耐用率仍在F-RAM的耐用率之下的多個數(shù)量級。因此，對于使用需要高耐用度的閃存的應(yīng)用，一些產(chǎn)品實際上將包括大的具有相關(guān)用戶/程序的閃存陣列，確保...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。