技術(shù)編號(hào):63635
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及真空裝置,特別是涉及使用了離子槍的真空裝置。 背景技術(shù)作為代表的成膜方法,有在使用了離子槍的成膜工序中,使由離子源生成的等離子體與靶碰撞,用由靶面使其飛濺的濺射粒子進(jìn)行膜形成的離子束濺射法,或者,用電子槍使薄膜材料蒸鍍,利用離子槍協(xié)助成膜的離子協(xié)助蒸鍍法等。此外,電子槍不僅使用于成膜工序中,也使用于用離子束進(jìn)行蝕刻的離子束蝕刻法。 在利用于這些工序中的離子槍中,根據(jù)在其內(nèi)部發(fā)生等離子體的方法,有三種代表方式。即,離子槍的代表實(shí)現(xiàn)方式有施加交流電使等離子體發(fā)生的RF離子槍方式、由熱燈絲使等離子體...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。