技術(shù)編號：6328292
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片的可靠性測量，尤其涉及。背景技術(shù)隨著超深亞微米CMOS工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，各種失效機(jī)理開始顯現(xiàn)出來，熱載流子注入效應(yīng)(HCI, Hot Carrier Injection)、與時(shí)間有關(guān)的柵介質(zhì)擊穿(TDDB, TimeDependent Dielectric Breakdown)、金屬化電遷移(EM,Electro migration)、歐姆接觸孔鏈退化和PM0SFET負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI,Negative Bias Temperat...
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