技術(shù)編號：6321663
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種例如對在通過鑲嵌法來形成的半導(dǎo)體裝置上作為層間絕緣膜而 使用的低介電常數(shù)膜進(jìn)行由蝕刻、灰化而形成的損傷的恢復(fù)處理的以及存儲有執(zhí) 行這種的程序的存儲介質(zhì)。背景技術(shù)近來，應(yīng)對半導(dǎo)體設(shè)備的高速化、布線圖案的精細(xì)化、高集成化的需要，要求布線 之間的電容的降低以及布線的導(dǎo)電性提高和電遷移抵抗性的提高，為了應(yīng)對這些，布線材 料使用導(dǎo)電性高于以往的鋁(Al)、鎢(W)且電遷移抵抗性良好的銅(Cu)，作為形成Cu布 線的技術(shù)，較多使用鑲嵌法，即，預(yù)先在層間絕...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。