技術(shù)編號：6231844
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請?zhí)峁阅軌虮碚餍∮?0納米的儲層微觀孔隙結(jié)構(gòu)。本申請所提供包括S1，制作儲層薄片；S2，利用所述儲層薄片制作儲層薄片電極；S3，利用電化學(xué)沉積在所述儲層薄片電極的儲層薄片內(nèi)部孔隙中沉積結(jié)晶物；S4，去除所述沉積結(jié)晶物的儲層薄片的巖石部分以獲得所述結(jié)晶物；S5，掃描所獲得結(jié)晶物的形貌，所述掃描結(jié)果即為儲層微觀孔隙結(jié)構(gòu)。通過本申請所提供的方法，能夠有效表征出小于50納米的儲層微觀孔隙結(jié)構(gòu)。專利說明 [0001] 本申請涉及油氣儲層表征領(lǐng)域，尤其涉...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。