技術(shù)編號：6227053
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種極低溫下半導(dǎo)體量子點(diǎn)低噪測量系統(tǒng)，屬于量子計(jì)算實(shí)驗(yàn)物理學(xué)領(lǐng)域。背景技術(shù)在量子計(jì)算實(shí)驗(yàn)物理學(xué)領(lǐng)域，特別是基于半導(dǎo)體或超導(dǎo)結(jié)構(gòu)的物理實(shí)驗(yàn)中，需要探測的物理量都極其微弱。以電流為例，一般為幾個到十幾個皮安(PA，10E-12A),因此對實(shí)驗(yàn)中的噪聲要求極小，能否盡可能的降噪，是實(shí)驗(yàn)成敗的一個關(guān)鍵要素。同時，隨著兩比特實(shí)驗(yàn)的推進(jìn)，對樣品的測量需要更多的電極。以GaAs半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)兩比特量子點(diǎn)為例，典型的樣品已經(jīng)需要24根引線(直流電控制和測量部分)，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。