技術(shù)編號：6226961
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，利用水熱法，在硅片上原位生長納米花型ZnO，通過物理的非溶劑磁控濺射法制備三維ZnO-Ag復(fù)合材料，這種復(fù)合材料既有較高的表面增強(qiáng)拉曼效應(yīng)，同時(shí)在該復(fù)合材料上修飾探針，構(gòu)建具有表面增強(qiáng)拉曼效應(yīng)的芯片，通過修飾巰基類探針分子，可將原本拉曼活性低的炸藥分子捕獲到芯片上，通過協(xié)同共振，兩者同時(shí)產(chǎn)生表面增強(qiáng)拉曼信號，比單一的無探針修飾的基底具有對炸藥分子更好的靈敏度，同時(shí)，該芯片對多種炸藥有很好的拉曼響應(yīng)，且對炸藥TNT有單一的強(qiáng)選擇性。專利說明[0...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。