技術(shù)編號：6223735
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及極紫外光刻光源，特別是一種極紫外光刻光源收集鏡污染的測量裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，特別是對芯片特征尺寸要求越來越高，現(xiàn)有的193nm浸沒式光刻技術(shù)不能滿足IOnm節(jié)點(diǎn)需求，極紫外光刻(EUVL)便成為了研究的重點(diǎn)。極紫外光刻需要用波長為13.5nm左右的光譜作為光源，由于波長遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于上一代光刻機(jī),成為光刻技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。極紫外光源一般通過高功率激光聚焦到錫液滴上產(chǎn)生，然后采用收集鏡對產(chǎn)生的極紫外光進(jìn)行收集，在收集極紫外光的過程中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。