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離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6221195

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本發(fā)明涉及晶體管,公開(kāi)了一種。該離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含半導(dǎo)體襯底,場(chǎng)氧化層,位于半導(dǎo)體襯底上通過(guò)摻雜形成的源極和漏極,源極和漏極之間被刻蝕到半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的凹槽結(jié)構(gòu),位于凹槽外圍并與源極和漏極摻雜類型相同的凹形摻雜區(qū)域,該凹形摻雜區(qū)域中摻雜濃度峰值處的區(qū)域?yàn)槁駥影疾?,該埋層凹槽與凹槽互不接觸,上述場(chǎng)氧化層位于半導(dǎo)體襯底上除源極、漏極和凹槽之外的所有區(qū)域,凹槽表面有離子敏感膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明中的晶體管能夠在測(cè)量時(shí)免遭周圍環(huán)境中電磁場(chǎng)的干擾,而且測(cè)量...
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