技術(shù)編號：6215216
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種驗(yàn)證LED白光芯片電壓高與ITO膜之間關(guān)系的方法，包括以下步驟1）選取測試中Vf1值高的異常芯片，首先將芯片浸泡氟化銨腐蝕液20～60sec以除去其鈍化層二氧化硅；2）將上述已經(jīng)去掉鈍化層二氧化硅的芯片，再進(jìn)行黃光P-SiO2光刻，黃光光刻完成后，浸泡ITO蝕刻液100～150sec，將其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新進(jìn)行ITO蒸鍍；3）蒸鍍完成后，進(jìn)行黃光ITO光刻、再浸泡ITO蝕刻液蝕刻100～200sec，露出N電極及走道；4）去...
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