技術(shù)編號(hào)：6180621
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。該方法包括將半絕緣4H-SiC樣品采用電阻率測(cè)量設(shè)備進(jìn)行電阻率測(cè)量，根據(jù)電阻率值與晶型的對(duì)應(yīng)關(guān)系，鑒別晶型情況，并得到4H晶型與其他晶型的面積比。該方法簡(jiǎn)單可靠，將電阻測(cè)量與4H-SiC晶型鑒別合二為一，可對(duì)半絕緣4H-SiC襯底生產(chǎn)的任一工序內(nèi)的產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)，有利于實(shí)施生產(chǎn)過程質(zhì)量控制。專利說明—種半絕緣4H-SiC晶型的鑒別方法[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電阻與晶型測(cè)量領(lǐng)域，尤其涉及半絕緣4H-SiC多型的鑒別方法。背景技術(shù)[0002]第三...
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