技術編號：6175999
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種測量不同材料界面劑量分布的多層平板電離室，具體說是為測量能量為30-100keV X射線入射不同原子序數(shù)材料的界面時，在靠近界面處幾十μm內的低原子序數(shù)材料中產生的劑量增強效應，而設計的一種多層平板電離室。在現(xiàn)有技術中，能量為30-100keV X射線能譜穿透力強，不易屏蔽，且入射在不同原子序數(shù)材料的界面時，在靠近界面處幾十μm內的低原子序數(shù)材料中能產生較強的劑量增強效應。由于界面到均勻塊介質之間的過渡區(qū)中能量沉積僅涉及窄小的幾何尺度，實驗測...
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