技術(shù)編號(hào)：6173444
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種，包括以下步驟對(duì)晶體管施加測(cè)試電壓并向所述晶體管的漏極注入取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第一電壓；改為注入測(cè)試電流，在給定的測(cè)試時(shí)間下，對(duì)所述晶體管加熱；然后再改為注入所述取樣電流，得到所述晶體管漏極和源極之間的第二電壓；將所述第一電壓與所述第二電壓做差，根據(jù)所述第一電壓與所述第二電壓的差值計(jì)算出所述晶體管的熱阻。通過(guò)測(cè)量VDMOSFET在工作狀態(tài)下漏極和源極之間的電壓變化量，來(lái)對(duì)VDMOSFET的性能進(jìn)行衡量和評(píng)估。所述測(cè)試方法...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。