技術編號：6171682
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，所述測量裝置包括支架，信號處理器，高頻振蕩器，所述支架上方設有第一探頭，所述支架下方設有第二探頭，所述第一探頭和第二探頭分別與所述高頻振蕩器連接，還包括調(diào)整第一探頭與第二探頭間相互距離的驅(qū)動機構，所述驅(qū)動機構與所述第一探頭或第二探頭連接，所述第一探頭和第二探頭分別與所述信號處理器連接，本發(fā)明極大地提高了渦流電流方法測量硅晶片電阻率所適用的厚度范圍以及電阻率范圍，而且極大地提高了電阻率測量的準確度。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及一...
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