技術(shù)編號(hào):6163823
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量MOSFET器件峰值結(jié)溫分布的方法,屬于MOSFET器件的。該方法包括在恒溫裝置里采集MOSFET器件的多階梯恒流脈沖所對(duì)應(yīng)的溫敏參數(shù),獲得MOSFET器件的電流-溫敏參數(shù)-溫度三維曲線(xiàn)簇;選定基準(zhǔn)電流,得到基準(zhǔn)電流的序列;根據(jù)電流-溫敏參數(shù)-溫度三維曲線(xiàn)簇和基準(zhǔn)電流的序列,得到電流-有效面積-溫敏參數(shù)-溫度曲線(xiàn)簇;通過(guò)多階梯恒流重復(fù)脈沖測(cè)試MOSFET器件,得到零時(shí)刻溫敏參數(shù);根據(jù)零時(shí)刻溫敏參數(shù)和電流-有效面積-溫敏參數(shù)-溫度曲線(xiàn)簇,...
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