技術編號：6161032
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種高溫多晶硅壓力傳感器，包括殼體、彈性蓋、感應片、引出導線、膜片和膜片基座，所述膜片基座分別設置于所述殼體底部的兩端，所述膜片的兩端分別固定于所述膜片基座上，所述膜片由氮化硅鈍化層、納米多晶硅層、氮化鋁絕緣隔膜層和硅單晶層組成，所述納米多晶硅層位于所述氮化硅鈍化層的下表面和所述氮化鋁絕緣隔膜層的上表面之間，所述硅單晶層位于所述氮化鋁絕緣隔膜層的下表面。采用氮化鋁絕緣隔膜層作電絕緣層，將極大地改善器件的導熱特性。氮化鋁絕緣隔膜層具有熱導率高、電...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。