技術(shù)編號：6150681
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及聲表面波器件和微細(xì)加工，特別涉及一種基于X射線曝光和剝離技術(shù)制作用于氣體檢測的亞微米尺寸聲表面波延遲線的方法。 背景技術(shù)隨著高性能傳感技術(shù)的發(fā)展，對聲表面波器件的制作提出挑戰(zhàn)，要求線條越來越 細(xì)，精度越來越高，甚至達到百納米左右才能滿足其快速發(fā)展的要求。傳統(tǒng)的光學(xué)光刻對密 集圖形在600nm以下難以得到好的效果。 一般具有亞微米尺寸聲表面波延遲線多采用電子 束直寫光刻技術(shù)制備，此時需要先在不導(dǎo)電的壓電基片上沉積電極材料，然后再進行電子 束光刻和電...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。