技術(shù)編號(hào)：6149015
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路測試領(lǐng)域，特別涉及一種確定EM測試結(jié)構(gòu)中加速因 子的方法。背景技術(shù)Ea和N分別是EM (EM =Electro-Migration,電遷移)測試結(jié)構(gòu)的溫度活化能和電 流加速因子。對應(yīng)不同的工藝、不同的結(jié)構(gòu)或不同的材料，溫度活化能Ea和電流加速因子 N都會(huì)不一樣。因此，對于新工藝、新結(jié)構(gòu)或新材料，都要重新推導(dǎo)Ea和N，以便更精確的推 導(dǎo)出EM測試結(jié)構(gòu)的使用壽命。傳統(tǒng)的獲得EM測試結(jié)構(gòu)的兩個(gè)加速因子的方法是3J3T實(shí)驗(yàn)(參考《電子器 件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。