技術(shù)編號：6147486
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)太陽能硅片的表面和次表面的缺陷，如缺損、雜質(zhì)、鋸痕、裂縫， 特別是隱性裂縫(不能由目視察覺的裂縫)，現(xiàn)有技術(shù)主要測試太陽能 硅片的電參數(shù)，這種測試一般在生產(chǎn)過程的后期進(jìn)行，這樣早期生產(chǎn)中 產(chǎn)生的不合格硅片還繼續(xù)留在生產(chǎn)線一直到最后才被發(fā)現(xiàn)，從而造成了 人力和物力的浪費發(fā)明內(nèi)容-本發(fā)明的目的在于提供一種檢測方便、可進(jìn)行實時檢測的硅片的快 速檢測方法。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是-一種，其特征是包括下列步驟 (O由兩個數(shù)字式相機分別攝取兩片...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。