技術(shù)編號：6139492
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及絕緣體上的硅(Silicon on insulator縮寫為SOI)高溫超高壓力傳感器的制作方法，這種傳感器又稱為SOI硅高溫超高壓力傳感器；屬電子信息領(lǐng)域。壓力傳感器普遍應(yīng)用于汽車工業(yè)、石油工業(yè)、航空航天工業(yè)、食品工業(yè)、醫(yī)藥衛(wèi)生以及日產(chǎn)生活等各個領(lǐng)域。這其中很多需要在高溫狀態(tài)下使用，如石油工業(yè)中的井下壓力計，要求傳感器在150℃的環(huán)境下工作并在超高壓力(600～1000Kg/cm2)條件下使用。作為代用品的金屬濺射薄膜壓力傳感器又存在輸出信號小...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。