技術編號：6114397
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及投影光刻法特別是涉及偏振狀態(tài)檢查方法、半導體器件的制造方法和用來檢查偏振狀態(tài)的檢查襯底。背景技術 在通過光刻技術形成與曝光波長相同程度或小于等于曝光波長的尺寸的圖形的情況下，照明光的偏振狀態(tài)對成像帶來的影響大。在偏振狀態(tài)中，有電場矢量在垂直于照明光的入射面的方向上振動的‘s偏振’和在平行于入射面的方向上振動的‘p偏振’。在這里，在形成條紋圖形(線與間隔圖形)的情況下，‘s偏振’這一方具有對比度高而且曝光量富余度變大的傾向。為此，在特開2004-2...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。