技術(shù)編號：6113988
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于在生產(chǎn)過程中對處于晶片狀態(tài)、處于裝配狀態(tài)等狀態(tài)下的半導(dǎo)體芯片實(shí)行無損檢驗(yàn)的方法，更具體地說，涉及一種用于檢測或檢驗(yàn)具有包括短路、增大電阻或者斷線的損耗的部分的方法。背景技術(shù) 通常，作為半導(dǎo)體芯片中故障和缺陷分析的一部分，這種無損檢驗(yàn)技術(shù)已經(jīng)用于以無損方式檢測p-n結(jié)的缺陷部分。附圖說明圖15說明了常規(guī)的原理。當(dāng)激光束2照射在p-n結(jié)1上時(shí)，產(chǎn)生一對電子3和空穴4。它們中的每一個(gè)通過p-n結(jié)1的空白層的電場和外部電源5的電場流入相反方向。因...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。