技術(shù)編號(hào)：6109915
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對(duì)設(shè)置著場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field effect transistor)的電子設(shè)備進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試裝置及測(cè)試方法、以及設(shè)置著根據(jù)所給予的測(cè)試圖案來(lái)運(yùn)行的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電子設(shè)備及設(shè)備生產(chǎn)方法。本發(fā)明尤其涉及測(cè)試時(shí)減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的泄漏電流(leakage current)變動(dòng)的影響的測(cè)試裝置以及測(cè)試方法。關(guān)于通過(guò)文獻(xiàn)的參照而允許編入的指定國(guó)，將下述日本專利申請(qǐng)案所記載的內(nèi)容借由參照而并入本申請(qǐng)案中，以作為本申請(qǐng)案的一部分。特愿2004-298260 ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。