技術(shù)編號:6095942
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試,尤其涉及一種。背景技術(shù)隨著微電子器件幾何尺寸的縮小,集成電路特性對微細(xì)缺陷更加敏感,各種工藝技術(shù)越來越接近其基本可靠性極限,可靠性問題越來越突出。其中,負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI,Negative Bias TemperatureInstabiIity)是影響 MOS 器件可靠性的重要因素。由NBTI效應(yīng)引發(fā)的PMOS退化逐漸成為影響器件壽命的主要因素,它比由熱載流子效應(yīng)引發(fā) 的NMOS壽命退化更為嚴(yán)重。NBTI效應(yīng)是由于在高溫下(...
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