技術(shù)編號(hào)：6084371
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體晶片處理的領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明是關(guān)于在時(shí)分復(fù)用蝕刻和淀積處理期間確定蝕刻處理的終點(diǎn)。背景技術(shù) 在許多微機(jī)電(MEMS)器件的制造期間，需要蝕刻一層材料以便在該層之下完全停止(例如，絕緣體上硅(SOI)清除硅(Si)層而停止在其下的二氧化硅(SiO2)層)。隨著蝕刻處理進(jìn)行，一旦超過第一層已經(jīng)被去除掉的時(shí)間，就會(huì)導(dǎo)致下停止層的厚度減少、或者特征輪廓劣化(本領(lǐng)域中對(duì)于SOI應(yīng)用所公知的“凹陷”)。因此，在等離子體處理工藝諸如蝕刻中，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。