技術(shù)編號(hào)：6028318
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明專利涉及紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)，具體是指一種紅外探測(cè)器焦平面 組件應(yīng)力模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)構(gòu)，它適用于對(duì)紅外焦平面探測(cè)器組件的結(jié)構(gòu)應(yīng)力模擬。 背景技術(shù)紅外探測(cè)器焦平面組件一般由很多層構(gòu)成，包括襯底、外延層薄膜、底充 膠、硅電路、寶石片、柯伐等，各層所制作形成的溫度均在室溫以上且各不相 同，甚至相差較大，但組件的工作溫度在液氮沸點(diǎn)附近，如此巨大的溫差作用 在熱膨脹系數(shù)離散于近兩個(gè)數(shù)量級(jí)上的各層材料之間，不可避免的在結(jié)構(gòu)中引 入了巨大的熱應(yīng)力。熱應(yīng)力常常使組件的光電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。