技術(shù)編號(hào)：6027885
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及GaAs/AlGaAs量子阱材料，特別是一種預(yù)測(cè)關(guān)于由GaAs/AlGaAs量子阱材料形成的紅外探測(cè)器紅外響應(yīng)波長(zhǎng)的設(shè)備和方法，更確切地說是一種量子阱材料無需制備成器件、直接在相應(yīng)材料的非接觸式測(cè)量基礎(chǔ)上精確預(yù)測(cè)其紅外響應(yīng)波長(zhǎng)的設(shè)備和方法。紅外探測(cè)器的制備中首先需要根據(jù)其應(yīng)用的具體要求確定其響應(yīng)波長(zhǎng)、響應(yīng)率、探測(cè)率等基本特征參數(shù)，其中響應(yīng)波長(zhǎng)尤為重要。為此在對(duì)典型的紅外探測(cè)器材料碲鎘汞在器件制備前篩選時(shí)，首先是用紅外吸收光譜方法確定其響應(yīng)波長(zhǎng)，但...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。