技術(shù)編號：6019403
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。技術(shù)背景在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，通過一系列的沉積、光刻、刻蝕、平坦化工藝在半導(dǎo)體襯底上形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。其中，光刻工藝在于形成掩膜圖案，定義待刻蝕區(qū)域；而刻蝕工藝用于將光刻定義的圖案轉(zhuǎn)移到材料層中。等離子體刻蝕工藝為常用的一種刻蝕工藝， 等離子體刻蝕工藝中，選擇合適的氣體作為刻蝕氣體，通過能量源如射頻源激發(fā)腔室內(nèi)的氣體，使其從氣態(tài)轉(zhuǎn)化為等離子體狀態(tài)。在這個(gè)過程中，氣體吸收射頻功率，被電離、激發(fā)、 離解等。圖1為現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。