技術(shù)編號：6006598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微電子器件抗單粒子能力試驗驗證，特別是涉及。 背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的迅猛發(fā)展，航天器用微電子器件的集成度不斷提高，航天器逐漸更多地采用大規(guī)模集成電路，由于器件的特征尺寸和工作電壓越來越小，相應(yīng)地，臨界電荷也越來越小，單粒子效應(yīng)的作用也越來越明顯。近些年來發(fā)現(xiàn)單粒子效應(yīng)更加顯著，其損傷模式也日趨復雜化。單粒子效應(yīng)是航天器在軌運行時發(fā)生的，但大量的試驗驗證工作卻是在地面進行，尤其是航天器設(shè)計所需的微電子器件抗性能評估的依據(jù)是地面模擬試驗結(jié)果。地面模...
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