技術編號：5959971
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體及微傳感器晶圓測試領域，具體涉及一種硅通孔超薄晶圓測試結構，以及利用該結構對帶有硅通孔的超薄晶圓進行測試的方法。背景技術在半導體及微傳感器領域中，制造完成的半導體及傳感器晶圓或芯片在進行封裝前需進行測試，剔除不合格的產(chǎn)品。帶有硅通孔的晶圓，由于晶圓兩面都有電極，因此需要采用雙面測試的方法。如美國專利US7420381揭露了一種雙面測試方法，將待測器件垂直放置，用探針接觸待測器件的兩面進行測試。但這種測試方法僅適用于小尺寸的待測器件，對于硅通...
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