技術(shù)編號：5957235
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的特性試驗(yàn)裝置和使用該裝置進(jìn)行的包括絕緣強(qiáng)度(耐 性)試驗(yàn)的特性試驗(yàn)方法，其對于具有T03P型等的樹脂密封部的半導(dǎo)體元件，能夠在進(jìn)行現(xiàn) 有的特性試驗(yàn)的同時進(jìn)行半導(dǎo)體芯片收納于樹脂密封部的半導(dǎo)體元件的樹脂密封部的絕緣檢查。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體元件的特性試驗(yàn)，有作為靜特性試驗(yàn)的漏電流特性試驗(yàn)、耐壓特性試 驗(yàn)等，作為動特性試驗(yàn)有L負(fù)載試驗(yàn)、開關(guān)試驗(yàn)等。圖11是全模塑型(Full mold type)的IGBT20的結(jié)構(gòu)圖，圖11 (a)是正面圖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。