技術(shù)編號：5955521
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于單晶硅基片制備的有關(guān)設(shè)備，具體涉及鐵電薄膜熱釋電紅外探測器及非致冷紅外探測器焦平面陣列背面與像元相對應(yīng)區(qū)域微橋的制備裝置。背景技術(shù) 熱釋電紅外探測器是一種利用材料的熱釋電效應(yīng)探測紅外輻射能量的器件，它能夠?qū)⑼饨缛肷涞募t外輻射能量吸收并轉(zhuǎn)變?yōu)橐子跍y量的電信號，具有響應(yīng)速度快、光譜響應(yīng)寬以及室溫下工作無須制冷、易于熱成像及性能價格比高等優(yōu)點，目前已被廣泛應(yīng)用于軍事、航空航天等尖端以及工業(yè)生產(chǎn)和民用部門。熱釋電紅外探測器的主要性能參數(shù)與探測系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)密...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。