技術(shù)編號：5910295
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件試驗，特別是航天用半導體器件抗質(zhì)子單粒子效應能力檢測技術(shù)。背景技術(shù)衛(wèi)星系統(tǒng)使用大量半導體集電路，如微處理器(CPU)、數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程邏輯陣列(FPGA)、存儲器(Memory)、及門電路等，但應用在衛(wèi)星上的半導體集成電路在空間將遭遇非常惡劣的環(huán)境，如輻射環(huán)境、熱真空環(huán)境、微流星/空間碎片環(huán)境等。空間輻射環(huán)境將會引起半導體集成電路電離損傷及(/或)原子位移損傷。原子位移損傷是高能質(zhì)子入射半導體材料后原子移位，造成晶格...
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