技術(shù)編號：5905447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種多量子阱紅外探測器材料結(jié)構(gòu)層厚度和透射光譜測量，具體地說，是關(guān)于通過對多量子阱紅外探測器材料透射光譜的測量和特殊模型的應(yīng)用，直接獲取材料上電極層、多量子阱區(qū)域厚度參數(shù)的方法。背景技術(shù)隨著紅外探測器在軍事、民用等領(lǐng)域的需求，其材料生長、器件制備受到了極大關(guān)注。例如，GaAs/AlGaAs兩類重要的紅外半導(dǎo)體材料，同HgCdTe材料相比，GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測器雖存在光吸收系數(shù)小，載流子壽命短的缺點，但是，GaAs材料生長和工藝成...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。