技術(shù)編號(hào):5874999
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般而言涉及集成電路領(lǐng)域,具體而言,涉及用于評(píng)估具有大量場(chǎng)效應(yīng)晶 體管的集成電路的可靠性的方法和電路系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著高性能、高速集成電路(IC)的持續(xù)發(fā)展,在單個(gè)IC內(nèi)使用的半導(dǎo)體器件, 特別是諸如晶體管(例如,硅-鍺(SiGe)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)和各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET))的有源半導(dǎo)體器件的數(shù)目持續(xù)激增。結(jié)果,使利用大量半導(dǎo)體器件的IC芯片保持 高度可靠則快速地成為當(dāng)前技術(shù)發(fā)展中最有挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一。對(duì)于包含百萬(wàn)甚至十億個(gè) FET的I...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。