技術(shù)編號(hào)：5863187
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體或者硅結(jié)構(gòu)中的微缺陷檢測(cè)和分類的設(shè)備和方法，尤其(但并非只限于)涉及對(duì)硅—絕緣體晶片、多晶硅、鍺硅(SiGe)外延層和類似結(jié)構(gòu)中的微缺陷檢測(cè)和分類的設(shè)備和方法。背景技術(shù)高性能電路的迅速收縮器件的幾何形狀和技術(shù)要求非常需要了解涉及材料微結(jié)構(gòu)性質(zhì)的物理現(xiàn)象。為減少材料中缺陷的數(shù)量以及這些缺陷對(duì)于使集成電路性質(zhì)劣化和產(chǎn)量下降的影響，必需了解這些性質(zhì)。所有的硅晶片包含某一等級(jí)的缺陷，其性質(zhì)和密度取決于晶體生長(zhǎng)條件和晶片在后續(xù)處理中熱量與時(shí)間的關(guān)系(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。