技術(shù)編號：5839115
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種非破壞性的方法，以及涉及使用一種裝置檢測半導體、諸如硅中表面金屬的污染，具體地說，是檢查經(jīng)過部分加工的硅、完全加工好的器件結(jié)構(gòu)以及檢查交叉污染，但這僅僅是應用的例子，實際上還可用于其他種種檢查。背景技術(shù)晶體生長的發(fā)展已使硅晶片在制造中不會產(chǎn)生位錯。因此晶片可用化學方法磨邊以排除鋸開時給晶片帶來的損害，然后對它們進行高溫處理以形成一氧化物層，在此過程中，可能會在晶片及柵極氧化物層中的器件活性區(qū)域內(nèi)形成缺陷，從而降低器件的性能，導致產(chǎn)量損失及產(chǎn)生...
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