技術(shù)編號(hào):5838522
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜測(cè)量技術(shù),尤其涉及一種利用硅探頭進(jìn)行硅襯底薄膜膜厚 的測(cè)量方法。背景技術(shù)微電子技術(shù)是當(dāng)今高新中最為重要的領(lǐng)域之一 ,而支持微電子技術(shù)發(fā)展的重要材料之一就是薄膜材料。薄膜是人工制作的厚度在1微米(10—6米)以下的固體膜, 一般都是被制備在一個(gè)襯底如玻璃、半導(dǎo)體硅等上,薄膜 厚度(膜厚)是薄膜材料的一個(gè)最為基本、最為重要的物理量,它在很大程度 上決定著薄膜材料的物理特性,如電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、磁學(xué)性質(zhì)、力學(xué)性質(zhì)、 鐵電性質(zhì)等,因此,膜厚的測(cè)量在...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。