技術(shù)編號(hào)：5837659
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用可移動(dòng)底座的拋光頭檢測(cè)。 背景技術(shù)通過導(dǎo)電、半導(dǎo)體或絕緣層的順序沉積，集成電路通常形成在襯底上，特 別是，硅晶片上。在每層沉積之后，經(jīng)常對(duì)已沉積的層進(jìn)行蝕刻以產(chǎn)生電路特 征。由于一系列層順序地沉積和蝕刻，襯底的最外或最上表面，也即襯底的己 暴露表面變得越來越不平坦。該非平坦表面在集成電路制造工藝的光刻步驟中 可能產(chǎn)生問題。所以，經(jīng)常需要周期性地平坦化該襯底表面。化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種可接受的平坦化方法。該平坦化方法通常 包括使用裝載罩組...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。