技術(shù)編號：5290968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)功能材料相關(guān)的，涉及電化學(xué)沉積的方法制備In2O3和CuO微納米異質(zhì)周期結(jié)構(gòu)功能材料的相關(guān)技術(shù)。背景技術(shù)功能性納米材料一直受到人們的關(guān)注，尤其是制備具有良好光電、氣敏特性的半導(dǎo)體微納異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料是目前研究重點。半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)是將兩種不同類型的半導(dǎo)體材料組合在一起的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)中的電子行為，包括光輻照、溫度及氣體和電子的互相作用以及其他一些物理性質(zhì)與單一的半導(dǎo)體材料明顯不同。近年來，對許多半導(dǎo)體氧化物功能材料的研究得到了廣泛的關(guān)注，...
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