技術(shù)編號(hào):5287150
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造可用于構(gòu)造各種納米器件的鋁薄膜的方法,該納 米器件包括構(gòu)建成諸如計(jì)算機(jī)的外部存儲(chǔ)設(shè)備之類的各種磁性記錄設(shè)備的 磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明附加地涉及一種制造氧化鋁納米孔陣列的方法、以及 一種使用由此生產(chǎn)出的鋁薄膜制造磁記錄介質(zhì)的方法。背景技術(shù)伴隨著磁盤中高密度存儲(chǔ)器的最近趨勢(shì)而來(lái)的是磁記錄方法從常規(guī)的 面內(nèi)記錄(縱向記錄)向垂直記錄的轉(zhuǎn)變。垂直記錄方法的開發(fā)己顯著地改進(jìn)了記錄密度。使用面內(nèi)記錄時(shí),記錄密度的上限約為100千兆位/平方 英寸(GB/i...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。