技術(shù)編號(hào)：5287117
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電解槽，尤其涉及一種用于提純金屬鎵的半封閉式指狀隔 板電解槽背景技術(shù)金屬鎵熔點(diǎn)為3trc，其在電解過程中以液態(tài)形式存在，所以其電解提純有 別于一般固態(tài)金屬的電解方法?，F(xiàn)有的鎵電解槽在底部分割為兩個(gè)隔離的區(qū)域， 區(qū)域呈兩個(gè)同心圓形狀，上部敞口。當(dāng)液態(tài)鎵放入后，成為電解時(shí)的陰極區(qū)、 陽極區(qū)。電解時(shí)，上述陰極區(qū)、陽極區(qū)分布結(jié)構(gòu)進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng)存在較大的反 電場(chǎng)，增大電子遷移的難度，產(chǎn)生了較大的濃差極化現(xiàn)象，增加了電耗，降低 了電解效率。而且這樣的電解...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。