技術(shù)編號(hào)：5277013
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及新型的納米結(jié)構(gòu)受控的納米陣列電極的制造方法以及使用其的光電轉(zhuǎn)換元件。背景技術(shù) 在以前的電光學(xué)元件、光電化學(xué)元件等功能性元件中，使用在帶有導(dǎo)電膜的基板上對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行成膜的功能性電極。半導(dǎo)體響應(yīng)熱、光、溫度等外部刺激，根據(jù)環(huán)境產(chǎn)生電子以及聲子或它們的復(fù)合體等。這些物質(zhì)在半導(dǎo)體內(nèi)傳播時(shí)，在半導(dǎo)體層由半導(dǎo)體微粒構(gòu)成的情況下，對(duì)于試圖提高功能性元件的性能來(lái)說(shuō)，由于在微粒之間的聚集體處的散射等引起的這些元素激發(fā)狀態(tài)失活是問(wèn)題所在，降低在微粒的聚集體處的散射等...
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