技術(shù)編號(hào):5273416
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,涉及一種電解槽。背景技術(shù)隨著單個(gè)器件變得越來(lái)越小,集成電路的運(yùn)行速度越來(lái)越高。在幾百兆赫茲的速度下,信號(hào)必須以足夠快的速度通過(guò)金屬系統(tǒng)才能防止程序延誤。欲改善金屬連線的延遲可以采用電阻值較低的金屬作為金屬導(dǎo)線或是降低金屬導(dǎo)線間介電層的寄生電容。銅制程是一個(gè)解決延遲效應(yīng)的可行方案,與鋁3.1 mQ/cm的電阻相比,銅的電阻僅有1.7mQ/cm,導(dǎo)電性比鋁優(yōu)良,同時(shí)銅本身具有抗電遷移的能力,而且能在低溫下進(jìn)行淀積。目前,銅薄膜...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。