技術(shù)編號(hào):5270178
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種硅基III-V族納米管與微米管及其制備方法。納米管與微米管是由單晶Si襯底上外延生長(zhǎng)的III-V族應(yīng)變半導(dǎo)體薄膜自卷曲所形成兩端非封閉的圓柱形中空管狀結(jié)構(gòu),其直徑為1nm-100μm,其長(zhǎng)度為1μm-1mm。這種管狀結(jié)構(gòu)在硅基光子學(xué)、微電機(jī)系統(tǒng)、傳感等領(lǐng)域都有極大的應(yīng)用價(jià)值。本發(fā)明集成了“由下至上”的異變外延生長(zhǎng)和“由上而下”的光刻腐蝕技術(shù)。通過(guò)側(cè)向腐蝕III-V族犧牲層,使III-V族應(yīng)變雙層薄膜從Si上釋放并卷曲成管。該方法與III-V...
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