技術(shù)編號:5270174
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種,包括S1、提供基片;S2、在基片上形成第一介質(zhì)層,去除部分第一介質(zhì)層以形成第一掩膜圖形,在基片上進行刻蝕以形成若干第一深孔,將若干第一深孔底部連通以形成第一腔體;S3、去除第一介質(zhì)層,于基片外延覆蓋第一層單晶硅薄膜;S4、在第一層單晶硅薄膜上形成第二介質(zhì)層,去除部分第二介質(zhì)層以形成第二掩膜圖形,在第一層單晶硅薄膜上進行刻蝕以形成若干第二深孔,將若干第二深孔底部連通以形成第二腔體;S5、去除第二介質(zhì)層,于第一層單晶硅薄膜上外延覆蓋第二層單晶硅...
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