技術(shù)編號(hào)：5269987
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造MEMS器件的方法。具體而言，本發(fā)明涉及具有懸置于埋腔或埋溝之上的薄膜的器件的制造。背景技術(shù)在下文中，將對(duì)電容式壓力傳感器的制造進(jìn)行參考，該傳感器具有亦稱為薄膜的懸置區(qū)域，該區(qū)域能夠相對(duì)于結(jié)構(gòu)的其余部分移動(dòng)。然而，本發(fā)明并不限于這種傳感器，而是還適用于例如用于在微流體器件中使用的其他具有埋溝的MEMS傳感器、致動(dòng)器和器件。具體地，在電容式類型的壓カ傳感器的情況中，薄膜表示可變電扱，其面向形成固定電極的固定部分，并且通過埋腔而與后者分離。已...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。